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首頁歐美晶振Ecliptek晶振日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子

    日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子

  • 規(guī)格型號:2313742
  • 頻率:32MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,美國進口晶振,石英晶體諧振器,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EA2025,編碼EA2025MA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的水晶振動子,尺寸為2520mm,頻率32M...
   日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,美國進口晶振,石英晶體諧振器,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EA2025,編碼EA2025MA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的水晶振動子,尺寸為2520mm,頻率32MHZ,精度15ppm,負載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具備良好的穩(wěn)定性能,比較適合智能家居,電子產(chǎn)品等領域.
    EA2025MA10-16.000M-TR石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子
EA2025MA10-32.000M-TR晶振   參數(shù)表
蝕晶振規(guī)格 單位 EA2025晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
標準頻率 f_nom 32MHZ 標準頻率
儲存溫度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
激勵功率 DL 0.5μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±15 × 10-6  +25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,
http://www.jdzks.com/
頻率溫度特征 f_tem ±20× 10-6 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 10pF ~ ∞ 超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 60 Ohms -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 
日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子  尺寸圖

       EA2025MA10-32.000M-TR晶振  使用注意事項
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
    正常溫度和濕度:
    溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容)。
    (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子
    安裝時注意事項
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
   (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C注意
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子
歐美晶振編號 供應商 系列 類型 頻率 頻率穩(wěn)定性 頻率容差 負載電容
EB3250AYA08-8.000M TR Ecliptek EB3250 MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±30ppm 8pF
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18.432 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.31818 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6.144 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 28.63636 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 13 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 19.6608 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 9.8304 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-32.000M TR Ecliptek E1S - - - - -
EA2025MA10-16.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 16 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
EA2025MA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
E1WCDA12-32.768K Ecliptek E1WC kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz - ±20ppm 12.5pF
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 20 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-14.7456M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.7456 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SCA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 7.3728 MHz ±100ppm ±50ppm 18pF
E1SEA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SEA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 12 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-10.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 10 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 12 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-11.0592M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 11.0592 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-3.579545M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 3.579545 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-4.194304M TR Ecliptek晶振 E1S MHz 晶體 4.194304 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-16.9344M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16.9344 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-5.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 5 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-13.500M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 13.5 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-9.216M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 9.216 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-12.288M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 12.288 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-4.500M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4.5 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-15.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 15 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-4.433619M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4.433619 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-16.384M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16.384 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-6.7458M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6.7458 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-15.360M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 15.36 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SDA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-4.9152M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4.9152 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF

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