Statek晶振,CXOLP晶振,CXOLP4SNSM4-8.0M晶振,1970年，Statek公司開(kāi)創(chuàng)了石英計(jì)時(shí)元件小型化技術(shù)，革新了頻率控制行業(yè)。今天，Statek在設(shè)計(jì)和制造超微型石英晶體、振蕩器和傳感器方面延續(xù)了創(chuàng)新的傳統(tǒng)。自成立以來(lái)，Statek一直是創(chuàng)新、服務(wù)和質(zhì)量的代名詞。所有產(chǎn)品都是在美國(guó)設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試的。

    存儲(chǔ)事項(xiàng)
    (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
    正常溫度和濕度：
    溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
    (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
    安裝時(shí)注意事項(xiàng)
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
   （1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號(hào) 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
    請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。

       Statek國(guó)際晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：
建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；
持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；
減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；
依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；
“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.
充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.
Statek晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.Statek晶振,CXOLP晶振,CXOLP4SNSM4-8.0M晶振.

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