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- 規(guī)格型號：56579312
- 頻率：25M-250MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)...
富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器
富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器，有源石英晶振，無論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
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5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
10月
參展晶振東京商務(wù)峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
晶振廠家總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
參展晶振東京商務(wù)峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
晶振廠家總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
| 石英晶振規(guī)格 | 單位 | FPO-500 5.0*3.2mm 晶振說明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 25M-250MHZ | 晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 15pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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7-1:機(jī)械振動的影響
當(dāng)石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于貼片晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 進(jìn)口晶振在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器
當(dāng)石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于貼片晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 進(jìn)口晶振在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：5032封裝差分晶振，有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有差分晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機(jī)晶體振蕩器
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：SMD壓控晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：SMD壓控晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
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