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- 規(guī)格型號(hào)：42297126
- 頻率：2M-160MHZ
- 尺寸：18.5*11.9mm
- 產(chǎn)品描述：溫補(bǔ)晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆...
富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器
富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
富士通晶振小尺寸的TCXO溫補(bǔ)晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了，高精密點(diǎn)膠技術(shù)，晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)，確保TCXO晶體產(chǎn)品精度，穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能。
1994年3月
為了擴(kuò)充石英晶振水晶設(shè)備的銷售機(jī)型，
該公司將與韓國(guó)sunny electronics公司、山梨的無(wú)線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質(zhì)量，還導(dǎo)入了網(wǎng)絡(luò)分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國(guó)transkelectronics。締結(jié)進(jìn)貨銷售合同。
2000年7月
臺(tái)灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測(cè)裝置富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
2005年8月
SMD晶振傳輸法水晶振蕩器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷售kec和kec制的半導(dǎo)體。
為了擴(kuò)充石英晶振水晶設(shè)備的銷售機(jī)型，
該公司將與韓國(guó)sunny electronics公司、山梨的無(wú)線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質(zhì)量，還導(dǎo)入了網(wǎng)絡(luò)分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國(guó)transkelectronics。締結(jié)進(jìn)貨銷售合同。
2000年7月
臺(tái)灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動(dòng)”自動(dòng)檢測(cè)裝置富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
2005年8月
SMD晶振傳輸法水晶振蕩器自動(dòng)檢查裝置。
2008年6月
韓國(guó)將在國(guó)內(nèi)銷售kec和kec制的半導(dǎo)體。
規(guī)格.jpg)
| 石英晶振規(guī)格 | 單位 | FTC-A-H 18.5*11.9mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 2M-160MHZ | 晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 15pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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激勵(lì)功率
在石英晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
貼片晶振負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，有源晶振可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
所有晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
在石英晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
貼片晶振負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，有源晶振可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
所有晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
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6.3、壓控晶體振蕩器原理：
壓控晶體振蕩器是通過調(diào)節(jié)（控制腳）電壓，低損耗晶振使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變?nèi)荻O管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
6.4、SMD VCXO IC 原理圖：
SMD VCXO IC內(nèi)部集成了變?nèi)荻O管、Cg、Cd、Rf、R1，在制造過程中，只需安裝晶片進(jìn)行微調(diào)。在測(cè)試過程中，濾波電容0.01 μF(104 pF )應(yīng)安裝在測(cè)試治具中.
壓控晶體振蕩器是通過調(diào)節(jié)（控制腳）電壓，低損耗晶振使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變?nèi)荻O管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
6.4、SMD VCXO IC 原理圖：
SMD VCXO IC內(nèi)部集成了變?nèi)荻O管、Cg、Cd、Rf、R1，在制造過程中，只需安裝晶片進(jìn)行微調(diào)。在測(cè)試過程中，濾波電容0.01 μF(104 pF )應(yīng)安裝在測(cè)試治具中.
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