規(guī)格型號：17662230
頻率：3.579 ～ 85.0MHz
尺寸：13.5*4.8mm
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產(chǎn)品描述：我公司的49/SMD貼片晶振在生產(chǎn)晶片時，就采用了晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦...

富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振，高精度的石英晶體諧振器，是需要在生產(chǎn)前期的各道工序就得采用嚴格的標準，比如電阻的測量技術：引進一批先進的檢測儀器，準確度達到±1ppm（國標標準）。在測量應用上制定一套標準的測量方法保證測量的準確性、儀器的精度、測試的一致性。如下方面都會對測量結果帶來影響：1、測試針本身連接的可靠性；2、測試針同測試管的連接性；3、測試板同測試針的接觸問題；4、測試座同電纜的連接；5、小負載的規(guī)格測量的規(guī)定；6、測試板π頭上空測其C0值(保留3位以上小數(shù))；7、測量環(huán)境、操作方法等管制。

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

10月
參展東京晶振商務峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導體開始銷售富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補助金。
2015年5月
㈱ぱるぱる產(chǎn)電動卡丁車“パルパル”開始銷售。
富士com有限公司于2013年創(chuàng)立20期，創(chuàng)立20周年

石英晶振參數(shù)	單位	HCM49S 13.5*4.8mm晶振
標準頻率范圍	f_nom	3.579M-85MHZ
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C
工作溫度	T_use	-20°C ~+70°C
激勵功率	DL	100μW
精度	f_— l	±30 ppm
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	12-20pF
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	80kΩ Max

噪音
石英晶振在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
貼片晶振建議將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振
未用針腳可能會引起噪聲響應，從而導致非正常工作。同時，無源晶體當P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：車載電子領域晶振是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導航儀晶振。

石英晶振真空退火技術：2腳焊腳49S晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，49S型貼片晶振石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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