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- 規(guī)格型號：30815732
- 頻率：10MHz
- 尺寸：7050mm
- 產(chǎn)品描述：SSR010000K3CHE-T晶振,加高低損耗有源晶體,北斗衛(wèi)星導(dǎo)航晶振，臺灣加高晶振公司，HELE晶振，高品質(zhì)晶振，SMD晶振，石英晶振，HSO751S晶振，SSR010000K3CHE-T晶振，有源晶振，貼片晶振，高精度晶振，6G通訊設(shè)備晶振，無...
SSR010000K3CHE-T晶振,加高低損耗有源晶體,北斗衛(wèi)星導(dǎo)航晶振
航欄(3).jpg)
SSR010000K3CHE-T晶振,加高低損耗有源晶體,北斗衛(wèi)星導(dǎo)航晶振，臺灣加高晶振公司，HELE晶振，高品質(zhì)晶振，SMD晶振，石英晶振，HSO751S晶振，SSR010000K3CHE-T晶振，有源晶振，貼片晶振，高精度晶振，6G通訊設(shè)備晶振，無線傳輸晶振，局域網(wǎng)晶振，3225晶振，小體積晶振，低損耗晶振 ，北斗衛(wèi)星定位模塊晶振，6G無線網(wǎng)晶振，高精度晶振。特點(diǎn)：微型超薄SMD產(chǎn)品尺寸（7.0×5.0×0.55 max）。特點(diǎn):成熟的工業(yè)振蕩器封裝。三態(tài)函數(shù)。網(wǎng)絡(luò)和基站應(yīng)用的通用解決方案。
| 頻率范圍 | 1.8 ~ 220MHz | ||||
| 電源電壓(±10%) | +2.5 V | +2.85 V | +3.3 V | +5 V | |
| 輸出特征 | “0” Level | 10%VDD Max. | |||
| “1” Level | 90%VDD Min. | ||||
| 上升時(shí)間 | 10% ~ 90%VDD 10ns Max. | ||||
| 下降時(shí)間 | 90% ~ 10%VDD 10ns Max. | ||||
| 對稱性 | 60/40 to 40/60 at 50%VDD | ||||
| 輸出負(fù)載 | 15pF, 30pF | ||||
| 電流消耗量 | Icc | 20 mA Max. | |||
| 備用電流(#1 pin =“ L”Level) | I_std | 10 uA Max. | |||
| 啟動時(shí)間 | 5 ms Max. | ||||
| 相位抖動 | 10≤f0≤40 | 1ps Max. (F offset : 12KHz ~ 5MHz) | |||
| 40≤f0≤220 | 1ps Max. (F offset : 12KHz ~ 20MHz) | ||||
| 儲存溫度 |
-55 C ~ +125 C
|
||||
SSR010000K3CHE-T晶振,加高低損耗有源晶體,北斗衛(wèi)星導(dǎo)航晶振
| 原廠編碼 | 生產(chǎn)商 | 型號 | 頻率 | 頻率容差 | 負(fù)載電容 |
| X2C025000DZ1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 25 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C032000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C024000DZ1H-HU | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C016000B81H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C026000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X1C032000B81H-HR | 加高晶振 | HSX111S | 32 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X1C024000B81H-HV | 加高晶振 | HSX111S | 24 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C048000L71HH-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±8ppm | 11.1pF |
| X1R038400B81HA-CEHPZ | 加高晶振 | HSX111SR | 38.4 MHz | - | 8pF |
| X1R052000B81HZ-DEHPZ | 加高晶振 | HSX111SR | 52 MHz | - | 8pF |
| X12A040000BZ1H-HZ | 加高晶振 | HSX1210A | 40 MHz | ±12ppm | 6pF |
| X12A032000B81H-HZ | 加高晶振 | HSX1210A | 32 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X1C026000B81H-V | 加高晶振 | HSX111SA | 26 MHz | ±20ppm | 26pF |
| X1C032000B81H-HU | 加高晶振 | HSX111SA | 32 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X1C048000FK1H-HX | 加高晶振 | HSX111SA | 48 MHz | ±30ppm | 20pF |
| X2C016000B81H-HPU | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 8pF |
| X2C016000B91H-R_C254270 | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000FA1H-X | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C026000B91H-V | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±15ppm | 9pF |
| X2C027120FA1H-HV | 加高晶振 | HSX211S | 27.12 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000B81H-HS | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±15ppm | 8pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C032000BC1H-R | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C038400BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 38.4 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
| X2C048000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X1C026000B81H-V | 加高晶振 | HSX111SA | 26 MHz | ±20ppm | 8pF |
| X1C026000BC1H-HZ | 加高晶振 | HSX111SA | 26 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X1C032000B81H-HU | 加高晶振 | HSX111SA | 32 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C016000B91H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C016000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 12pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
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