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    SSR050000I3CH晶振,通訊衛(wèi)星晶體,HELE有源環(huán)保晶振

  • 規(guī)格型號(hào):46474773
  • 頻率:50MHz
  • 尺寸:7050mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:SSR050000I3CH晶振,通訊衛(wèi)星晶體,HELE有源環(huán)保晶振,特點(diǎn):微型超薄SMD產(chǎn)品尺寸(7.05.00.55max)。特點(diǎn):成熟的工業(yè)振蕩器封裝。三態(tài)函數(shù)。網(wǎng)絡(luò)和基站應(yīng)用的通用解決方案。臺(tái)灣加高晶振公司,HELE晶振,高品質(zhì)晶振,S...


SSR050000I3CH晶振,通訊衛(wèi)星晶體,HELE有源環(huán)保晶振特點(diǎn):微型超薄SMD產(chǎn)品尺寸(7.0×5.0×0.55 max)。特點(diǎn):成熟的工業(yè)振蕩器封裝。三態(tài)函數(shù)。網(wǎng)絡(luò)和基站應(yīng)用的通用解決方案。臺(tái)灣加高晶振公司,HELE晶振,高品質(zhì)晶振,SMD晶振,石英晶振,HSO751S晶振,SSR050000I3CH晶振,有源晶振,貼片晶振,高精度晶振,6G通訊設(shè)備晶振,無(wú)線傳輸晶振,局域網(wǎng)晶振,3225晶振,小體積晶振,低損耗晶振 ,北斗衛(wèi)星定位模塊晶振,6G無(wú)線網(wǎng)晶振,高精度晶振。
SSR050000I3CH晶振,通訊衛(wèi)星晶體,HELE有源環(huán)保晶振
頻率范圍 1.8 ~ 220MHz
電源電壓(±10%) +2.5 V +2.85 V +3.3 V +5 V
輸出特征 “0” Level 10%VDD Max.
“1” Level 90%VDD Min.
上升時(shí)間 10% ~ 90%VDD 10ns Max.
下降時(shí)間 90% ~ 10%VDD 10ns Max.
對(duì)稱性 60/40 to 40/60 at 50%VDD
輸出負(fù)載 15pF, 30pF
電流消耗量 Icc 20 mA Max.
備用電流(#1 pin =“ L”Level) I_std 10 uA Max.
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng) 10≤f0≤40 1ps Max. (F offset : 12KHz ~ 5MHz)
40≤f0≤220 1ps Max. (F offset : 12KHz ~ 20MHz)
儲(chǔ)存溫度
 
-55 C ~ +125 C

SSR050000I3CH晶振,通訊衛(wèi)星晶體,HELE有源環(huán)保晶振


原廠編碼 生產(chǎn)商 型號(hào) 頻率 頻率容差 負(fù)載電容
X2C025000DZ1H-U 加高晶振 HSX211S 25 MHz ±20ppm 6pF
X2C032000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 10pF
X2C024000DZ1H-HU 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±20ppm 6pF
X2C016000B81H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 8pF
X2C026000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±10ppm 12pF
X1C032000B81H-HR 加高晶振 HSX111S 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C024000B81H-HV 加高晶振 HSX111S 24 MHz ±10ppm 8pF
X2C048000L71HH-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±8ppm 11.1pF
X1R038400B81HA-CEHPZ 加高晶振 HSX111SR 38.4 MHz - 8pF
X1R052000B81HZ-DEHPZ 加高晶振 HSX111SR 52 MHz - 8pF
X12A040000BZ1H-HZ 加高晶振 HSX1210A 40 MHz ±12ppm 6pF
X12A032000B81H-HZ 加高晶振 HSX1210A 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 26pF
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF
X1C048000FK1H-HX 加高晶振 HSX111SA 48 MHz ±30ppm 20pF
X2C016000B81H-HPU 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 8pF
X2C016000B91H-R_C254270 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000FA1H-X 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C026000B91H-V 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±15ppm 9pF
X2C027120FA1H-HV 加高晶振 HSX211S 27.12 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000B81H-HS 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±15ppm 8pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C032000BC1H-R 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 12pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C038400BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 38.4 MHz ±10ppm 10pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF
X2C048000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±10ppm 10pF
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 8pF
X1C026000BC1H-HZ 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±10ppm 12pF
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF
X2C016000B91H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C016000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 12pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF
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網(wǎng)   址:www.jdzks.com
地   址:中國(guó)廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)大道新湖路

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